[实用新型]一种850nm高速发射系统有效
| 申请号： | 202021552431.6 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN212588335U | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 蔡志宏;邹长广;褚明辉 | 申请（专利权）人： | 武汉万赢半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H04B10/50 | 分类号： | H04B10/50 |
| 代理公司： | 武汉红观专利代理事务所(普通合伙) 42247 | 代理人： | 李季 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市江夏区藏龙岛梁山头村*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型提出了一种850nm高速发射系统，通过设置双向限幅器模块，对主控芯片输入到压控恒流源驱动电路的控制电压进行调幅，当控制电压超出所需的控制电压的阈值范围时，调节控制电压始终保持在设定的阈值范围内；通过设置采样电阻、第一电压跟随器、第二电压跟随器和场效应管，构成电压串联负反馈，形成稳定的闭环控制电路，通过反馈调节采样电阻两端的电压，输出恒定的电流，使半导体激光器稳定工作，同时主控芯片实时检测压控恒流源驱动电路中的电流，当压控恒流源驱动电路中的电流大于设定的阈值电流值时，主控芯片停止输入控制电压到压控恒流源驱动电路，保护半导体激光器不会因为过流造成损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 850 nm 高速 发射 系统 | ||
【主权项】：
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