[实用新型]一种850nm高速发射系统有效

专利信息
申请号: 202021552431.6 申请日: 2020-07-30
公开(公告)号: CN212588335U 公开(公告)日: 2021-02-23
发明(设计)人: 蔡志宏;邹长广;褚明辉 申请(专利权)人: 武汉万赢半导体科技有限公司
主分类号: H04B10/50 分类号: H04B10/50
代理公司: 武汉红观专利代理事务所(普通合伙) 42247 代理人: 李季
地址: 430000 湖北省武汉市江夏区藏龙岛梁山头村*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 850 nm 高速 发射 系统
【权利要求书】:

1.一种850nm高速发射系统,其包括电源模块、半导体激光器、主控芯片和压控恒流源驱动电路,其特征在于:还包括双向限幅器模块;

所述电源模块的输出端与压控恒流源驱动电路的电源输入端电性连接,主控芯片的模拟输出端与双向限幅器模块的输入端电性连接,双向限幅器模块的输出端与压控恒流源驱动电路的控制电压输入端电性连接,压控恒流源驱动电路的输出端分别与半导体激光器和主控芯片的模拟输入端电性连接。

2.如权利要求1所述的一种850nm高速发射系统,其特征在于:所述双向限幅器模块包括第一反向运算放大器模块、第二反向运算放大器模块和缓冲器模块;

所述主控芯片的模拟输出端通过依次串联的第一反向运算放大器模块、第二反向运算放大器模块和缓冲器模块与压控恒流源驱动电路的控制电压输入端电性连接。

3.如权利要求2所述的一种850nm高速发射系统,其特征在于:所述第一反向运算放大器模块包括第三运算放大器OP07、二极管D100、二极管D101和电阻R30-R34;

所述主控芯片的模拟输出端通过电阻R30与第三运算放大器OP07的引脚2电性连接,电阻R31的一端与电源电性连接,电阻R31的另一端与电阻R30和第三运算放大器OP07的引脚2的中间连接点电性连接,第三运算放大器OP07的引脚3接地,第三运算放大器OP07的引脚4与电源电性连接,第三运算放大器OP07的引脚7接地,第三运算放大器OP07的引脚6分别与二极管D100的正极和二极管D101的负极电性连接,二极管D100的负极与电阻R32的一端电性连接,电阻R32的另一端分别与电阻R33的一端和第三运算放大器OP07的引脚2电性连接,电阻R33的另一端与二极管D101的正极电性连接,二极管D101的正极与电阻R34的一端电性连接,电阻R34的另一端与第二反向运算放大器模块的输入端电性连接。

4.如权利要求2所述的一种850nm高速发射系统,其特征在于:所述第二反向运算放大器模块包括第四运算放大器OP07、电阻R35-R39、二极管D102和二极管D103;

所述第一反向运算放大器模块的输出端与第四运算放大器OP07的引脚2电性连接,电源通过电阻R38与第四运算放大器OP07的引脚2电性连接,电阻R39的一端与电源电性连接,电阻R39的另一端与电阻R38和第四运算放大器OP07的引脚2的中间连接点电性连接,第四运算放大器OP07的引脚3接地,第四运算放大器OP07的引脚4与电源电性连接,第四运算放大器OP07的引脚7接地,第四运算放大器OP07的引脚6分别与二极管D102的正极和二极管D103的负极电性连接,二极管D102的负极与电阻R36的一端电性连接,电阻R36的另一端分别与电阻R35的一端和第四运算放大器OP07的引脚2电性连接,电阻R35的另一端与二极管D103的正极电性连接,二极管D103的正极与电阻R37的一端电性连接,电阻R37的另一端与缓冲器模块的输入端电性连接。

5.如权利要求2所述的一种850nm高速发射系统,其特征在于:所述缓冲器模块包括第五运算放大器OP07、电阻R40和电阻R41;

所述第二反向运算放大器模块的输出端与第五运算放大器OP07的引脚2电性连接,电源通过电阻R40与第五运算放大器OP07的引脚2电性连接,第五运算放大器OP07的引脚3接地,第五运算放大器OP07的引脚4与电源电性连接,第五运算放大器OP07的引脚7接地,电阻R41并联在第五运算放大器OP07的引脚2和第五运算放大器OP07的引脚6之间,第五运算放大器OP07的引脚6与压控恒流源驱动电路的控制电压输入端电性连接。

6.如权利要求1所述的一种850nm高速发射系统,其特征在于:所述压控恒流源驱动电路包括第一电压跟随器、第二电压跟随器、场效应管M1和采样电阻RS;

所述双向限幅器模块的输出端与第一电压跟随器的输入端电性连接,第一电压跟随器的输出端与场效应管M1的栅极电性连接,场效应管M1的源极与采样电阻RS的输入端电性连接,采样电阻RS的输出端分别与第二电压跟随器的输入端和主控芯片的模拟输入端电性连接,第二电压跟随器的输出端与第一电压跟随器电性连接,场效应管M1的漏极与半导体激光器电性连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉万赢半导体科技有限公司,未经武汉万赢半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021552431.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top