[实用新型]低温多晶氧化物阵列基板有效

专利信息
申请号: 202021506936.9 申请日: 2020-07-27
公开(公告)号: CN212571000U 公开(公告)日: 2021-02-19
发明(设计)人: 刘翔 申请(专利权)人: 成都中电熊猫显示科技有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 朱颖;臧建明
地址: 610200 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型提供一种低温多晶氧化物阵列基板。本实用新型提供的低温多晶氧化物阵列基板,包括衬底基板、第一遮光层、第二遮光层、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,第一遮光层和第二遮光层间隔设置在衬底基板上,第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管沿阵列基板的层叠方向分别设置在第一遮光层和第二遮光层上方;第一薄膜晶体管包括第一半导体图形、第一源极、第一漏极和第一栅极;第二薄膜晶体管包括第二半导体图形、第二源极、第二漏极和第二栅极;其中,第一半导体图形为多晶硅半导体图形,第二半导体图形为金属氧化物半导体图形。本实用新型提供的阵列基板在满足高分辨率要求的同时,可降低显示面板的功耗。
搜索关键词: 低温 多晶 氧化物 阵列
【主权项】:
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