[实用新型]低温多晶氧化物阵列基板

权利要求书

1.一种低温多晶氧化物阵列基板，其特征在于，包括衬底基板、第一遮光层、第二遮光层、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一遮光层和所述第二遮光层间隔设置在所述衬底基板上，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管沿所述阵列基板的层叠方向分别设置在所述第一遮光层和所述第二遮光层上方；

所述第一薄膜晶体管包括位于所述第一遮光层上方的第一半导体图形、分别连接在所述第一半导体图形两侧的第一源极和第一漏极以及间隔设置在所述第一半导体图形上方的第一栅极；所述第二薄膜晶体管包括位于所述第二遮光层上方的第二半导体图形、分别连接在所述第二半导体图形两侧的第二源极和第二漏极以及间隔设置在所述第二半导体图形上方的第二栅极；其中，所述第一半导体图形为多晶硅半导体图形，所述第二半导体图形为金属氧化物半导体图形；

其中，所述第一栅极与所述第一遮光层连接，所述第二栅极与所述第二遮光层连接。

2.根据权利要求1所述的低温多晶氧化物阵列基板，其特征在于，所述第一半导体图形在所述衬底基板上的正投影位于所述第一遮光层的覆盖范围内，所述第二半导体图形在所述衬底基板上的正投影位于所述第二遮光层的覆盖范围内。

3.根据权利要求1所述的低温多晶氧化物阵列基板，其特征在于，还包括缓冲层和栅极绝缘层，所述缓冲层设在所述衬底基板上且覆盖所述第一遮光层和所述第二遮光层，所述第一半导体图形和所述第二半导体图形设在所述缓冲层上；

所述栅极绝缘层设在所述缓冲层上且覆盖所述第一半导体图形和所述第二半导体图形，所述第一栅极和所述第二栅极设在所述栅极绝缘层上。

4.根据权利要求3所述的低温多晶氧化物阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层和所述缓冲层中设有贯通的第一接触孔和第二接触孔，所述第一栅极通过所述第一接触孔与所述第一遮光层接触，所述第二栅极通过所述第二接触孔与所述第二遮光层接触。

5.根据权利要求3所述的低温多晶氧化物阵列基板，其特征在于，所述缓冲层包括依次层叠在所述衬底基板上的第一缓冲层和第二缓冲层。

6.根据权利要求5所述的低温多晶氧化物阵列基板，其特征在于，所述第一缓冲层为氮化硅层，所述第二缓冲层为氧化硅层。

7.根据权利要求3-6任一项所述的低温多晶氧化物阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层包括依次层叠在所述缓冲层上的第一氧化硅层和第二氧化硅层，所述第一氧化硅层的致密性高于所述第二氧化硅层的致密性。

8.根据权利要求3-6任一项所述的低温多晶氧化物阵列基板，其特征在于，还包括栅极保护层，所述栅极保护层设在所述栅极绝缘层上且覆盖所述第一栅极和所述第二栅极。

9.根据权利要求8所述的低温多晶氧化物阵列基板，其特征在于，所述第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极设在所述栅极保护层上，所述栅极保护层和所述栅极绝缘层中设有贯通的第三接触孔、第四接触孔、第五接触孔和第六接触孔，所述第一源极和所述第一漏极分别通过所述第三接触孔和所述第四接触孔与所述第一半导体图形接触，所述第二源极和所述第二漏极分别通过所述第五接触孔和所述第六接触孔与所述第二半导体图形接触。

10.根据权利要求9所述的低温多晶氧化物阵列基板，其特征在于，还包括钝化层和像素电极，所述钝化层设置在所述栅极保护层上且覆盖所述第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极，所述像素电极设置在所述钝化层上，所述钝化层中设有导电过孔，所述第二漏极通过所述导电过孔与所述第二漏极接触。