[实用新型]一种IGBT侧框有效
申请号: | 202021425150.4 | 申请日: | 2020-07-20 |
公开(公告)号: | CN212725319U | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 王晓萍 | 申请(专利权)人: | 苏州三湘利电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/739 | 分类号: | H01L29/739;H01L23/367 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种IGBT侧框,所述主体的上端外表面设置有集电极,所述集电极的上端设置有P层,所述P层的上端外表面设置有缓冲区,所述缓冲去的上端外表面设置有基极,所述基极的上端设置有功率模块、N发射极和P基极,所述N发射极位于功率模块的一侧,所述P基极位于N发射极的下端一侧,通过设置的,功率模块,功率模块可以通过设置的振荡器将电压传输到欠压锁定在通过欠压锁定传输到误差放大器,在通过误差放大器传输到锁存脉宽调制器,在从锁存脉宽调制器传输到传输模块,使功率稳定,本实用新型所述的一种IGBT侧框,带来更好的使用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 igbt 侧框 | ||
【主权项】:
暂无信息
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