[实用新型]一种IGBT侧框

说明书

本实用新型公开了一种IGBT侧框，所述主体的上端外表面设置有集电极，所述集电极的上端设置有P层，所述P层的上端外表面设置有缓冲区，所述缓冲去的上端外表面设置有基极，所述基极的上端设置有功率模块、N发射极和P基极，所述N发射极位于功率模块的一侧，所述P基极位于N发射极的下端一侧，通过设置的，功率模块，功率模块可以通过设置的振荡器将电压传输到欠压锁定在通过欠压锁定传输到误差放大器，在通过误差放大器传输到锁存脉宽调制器，在从锁存脉宽调制器传输到传输模块，使功率稳定，本实用新型所述的一种IGBT侧框，带来更好的使用前景。

技术领域

本实用新型涉及IGBT领域，具体为一种IGBT侧框。

背景技术

IGBT侧框是IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，在安装使用时，功率不稳定，导致电压不稳，并且容易漏电，散热性不好从而导致过热，给人们的使用过程带来了一定的不利影响，为此，我们提出一种IGBT侧框。

实用新型内容

解决的技术问题

针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种IGBT侧框，具备功率模块、绝缘层和散热底板等优点，可以有效解决背景技术中的问题。

技术方案

为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为：一种IGBT侧框，所述主体的上端外表面设置有集电极，所述集电极的上端设置有P层，所述P层的上端外表面设置有缓冲区，所述缓冲区的上端外表面设置有基极，所述基极的上端设置有功率模块、N发射极和P基极，所述N发射极位于功率模块的一侧，所述P基极位于N发射极的下端一侧，所述功率模块的上端外表面设置有门极，所述发射极位于门极的上端外表面，所述主体的下端外表面设置有散热底板，所述主体的两侧外表面设置有绝缘层，所述散热底板包括螺杆、上基板、铜管和下基板，所述功率模块包括振荡器、欠压锁定器、误差放大器、锁存脉宽调制器和输出模块，所述绝缘层包括纤维和塑料。

优选的，所述螺杆位于上基板的上端外表面，所述上基板的下端外表面设置有铜管，所述铜管的下端外表面设置有下基板。

优选的，所述铜管通过设置的凹槽与上基板和下基板固定连接，所述散热底板通过螺杆与主体固定连接。

优选的，所述振荡器、欠压锁定器和误差放大器均位于锁存脉宽调制器、输出模块的一侧，所述欠压锁定器位于振荡器的下端一侧，所述误差放大器位于欠压锁定器的下端一侧，所述输出模块位于锁存脉宽调制器的下端一侧。

优选的，所述振荡器、欠压锁定器和误差放大器的输出端与锁存脉宽调制器的输入端电性连接，所述锁存脉宽调制器的输出端与输出模块的输入端电性连接，所述功率模块通过设置的螺丝与基极固定连接。

优选的，所述纤维位于塑料的上端外表面。

优选的，所述纤维通过设置的粘胶与塑料固定连接，所述绝缘层通过设置的螺丝与主体固定连接。

有益效果

与现有技术相比，本实用新型提供了一种IGBT侧框，具备以下有益效果：

1、该IGBT侧框，通过设置的，功率模块，功率模块可以通过设置的振荡器将电压传输到欠压锁定在通过欠压锁定传输到误差放大器，在通过误差放大器传输到锁存脉宽调制器，在从锁存脉宽调制器传输到传输模块，使功率稳定。

2、该IGBT侧框，通过设置的，散热底板，散热底板通过设置的铜管将热量散发达到散热效果，有效避免温度过高带来的隐患。

3、该IGBT侧框，通过设置的，绝缘层，绝缘层可以通过设置的纤维和塑料可以有效的隔绝漏电和静电，提高了进一步安全性。

附图说明

图1为本实用新型一种IGBT侧框的整体结构示意图。