[实用新型]沟槽式MOS器件有效
| 申请号： | 202021209920.1 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN213366600U | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 陈译;陆佳顺;杨洁雯 | 申请（专利权）人： | 苏州硅能半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L27/088 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡;王健 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种沟槽式MOS器件，所述MOS器件包括至少2个MOS器件单胞，所述MOS器件单胞进一步包括：位于硅片下部的重掺杂N型漏极层和位于硅片上部的P型掺杂阱层，所述硅片中部且位于重掺杂N型漏极层和P型掺杂阱层之间具有一N型掺杂外延层；一圆形洞槽包覆于沟槽下部和底部，此圆形洞槽的直径大于沟槽的宽度，所述圆形洞槽的表面覆盖有第三二氧化硅层，此圆形洞槽的第三二氧化硅层与沟槽之间填充有导电多晶硅部。本实用新型沟槽式MOS器件减小了器件工作时候的开关损耗，且降低了关断时的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mos 器件 | ||
【主权项】：
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