[实用新型]沟槽式MOS器件

说明书

本实用新型公开一种沟槽式MOS器件，所述MOS器件包括至少2个MOS器件单胞，所述MOS器件单胞进一步包括：位于硅片下部的重掺杂N型漏极层和位于硅片上部的P型掺杂阱层，所述硅片中部且位于重掺杂N型漏极层和P型掺杂阱层之间具有一N型掺杂外延层；一圆形洞槽包覆于沟槽下部和底部，此圆形洞槽的直径大于沟槽的宽度，所述圆形洞槽的表面覆盖有第三二氧化硅层，此圆形洞槽的第三二氧化硅层与沟槽之间填充有导电多晶硅部。本实用新型沟槽式MOS器件减小了器件工作时候的开关损耗，且降低了关断时的导通电阻。

技术领域

本实用新型涉及MOSFET器件技术领域，尤其涉及一种沟槽型MOSFET器件。

背景技术

沟槽型功率MOS器件能够在节省器件面积的同时得到较低的通态电阻，因此具有较低的导通损耗，已经在中低压应用领域全面取代平面式功率MOS器件。但是，现有的沟槽型MOS器件的开关损耗仍然较大，有待进一步改善。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种沟槽式MOS器件，该沟槽式MOS器件减小了器件工作时候的开关损耗，且降低了关断时的导通电阻。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种沟槽式MOS器件，所述MOS器件包括至少2个MOS器件单胞，所述MOS器件单胞进一步包括：位于硅片下部的重掺杂N型漏极层和位于硅片上部的P型掺杂阱层，所述硅片中部且位于重掺杂N型漏极层和P型掺杂阱层之间具有一N型掺杂外延层；

一位于P型掺杂阱层内的沟槽延伸至N型掺杂外延层内，位于P型掺杂阱层上部内且位于沟槽的周边具有重掺杂N型源极区，一绝缘介质层覆盖于沟槽、重掺杂N型源极区和P型掺杂阱层上表面，位于重掺杂N型源极区上表面的绝缘介质层开有一通孔，一上金属层位于绝缘介质层上表面和通孔内，从而与重掺杂N型源极区电连接，一下金属层覆盖于重掺杂N型漏极层与N型掺杂外延层相背的表面；

所述沟槽侧壁具有一第一二氧化硅层，且沟槽内间隔设置有用第一导电多晶硅柱、第二导电多晶硅柱，此第一导电多晶硅柱、第二导电多晶硅柱之间填充有第二二氧化硅层；

一圆形洞槽包覆于沟槽下部和底部，此圆形洞槽的直径大于沟槽的宽度，所述圆形洞槽的表面覆盖有第三二氧化硅层，此圆形洞槽的第三二氧化硅层与沟槽之间填充有导电多晶硅部；相邻所述MOS器件单胞之间的P型掺杂阱层内具有一N掺杂深阱部，此N掺杂深阱部的上端延伸至P型掺杂阱层的上表面，所述N掺杂深阱部的下端延伸至N型掺杂外延层的下部区域。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1. 上述方案中，所述导电多晶硅部与第一导电多晶硅柱、第二导电多晶硅柱之间具有一第四二氧化硅层。

2. 上述方案中，所述N掺杂深阱部的深度与沟槽的深度比例为10：6~8。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

1. 本实用新型沟槽式MOS器件，其沟槽侧壁和底部具有一第一二氧化硅层，且沟槽内间隔设置有用第一导电多晶硅柱、第二导电多晶硅柱，此第一导电多晶硅柱、第二导电多晶硅柱之间填充有第二二氧化硅层，减小了器件工作时候的开关损耗，有效抑制了器件的误开启；还有，其相邻所述MOS器件单胞之间的P型掺杂阱层内具有一N掺杂深阱部，此N掺杂深阱部的上端延伸至P型掺杂阱层的上表面，所述N掺杂深阱部的下端延伸至N型掺杂外延层的下部区域，在反向偏压时，使电场曲线趋于平缓，改善漏电流的增加程度，进而使崩溃效应不容易产生。

2. 本实用新型沟槽式MOS器件，其圆形洞槽包覆于沟槽下部和底部，此圆形洞槽的直径大于沟槽的宽度，所述圆形洞槽的表面覆盖有第三二氧化硅层，此圆形洞槽的第三二氧化硅层与沟槽之间填充有导电多晶硅部，降低了关断时的导通电阻。

附图说明

附图1为本实用新型沟槽式MOS器件结构示意图。