[实用新型]新型IGBT结构有效
| 申请号： | 202021192924.3 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN212342632U | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 俞义长;赵善麒 | 申请（专利权）人： | 江苏宏微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/739 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 姜晓钰 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种新型IGBT结构，包括半导体衬底和至少一个元胞结构，元胞结构包括：设置于半导体衬底一侧的漂移区；设置于漂移区一侧的第一沟槽栅单元和第二沟槽栅单元，第一沟槽栅单元与第二沟槽栅单元上设有多个连接层，多个连接层间隔排布于第一沟槽栅单元与第二沟槽栅单元上；其中，第一沟槽栅单元和第二沟槽栅单元相邻侧之间设有第一阱区，第一沟槽栅单元远离第二沟槽栅单元侧设有第二阱区和第一源区，第二沟槽栅极单元远离第一沟槽栅单元侧设有第三阱区和第二源区。本实用新型能够有效地降低其结构带来的栅极电容的上升，从而能够在保持较低导通压降的同时，有效地降低其开关损耗，并能够优化高频特性，拓宽应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 igbt 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏宏微科技股份有限公司，未经江苏宏微科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202021192924.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：气体高压封闭环网开关设备
- 下一篇：一种低能耗高亮度LED球泡灯
- 同类专利
- 专利分类
