[实用新型]新型IGBT结构有效
| 申请号： | 202021192924.3 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN212342632U | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 俞义长;赵善麒 | 申请（专利权）人： | 江苏宏微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/739 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 姜晓钰 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 新型 igbt 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型IGBT结构，其特征在于，包括半导体衬底和至少一个元胞结构，所述元胞结构包括：
设置于所述半导体衬底一侧的漂移区；
设置于所述漂移区一侧的第一沟槽栅单元和第二沟槽栅单元，所述第一沟槽栅单元与所述第二沟槽栅单元上设有多个连接层，多个所述连接层间隔排布于所述第一沟槽栅单元与所述第二沟槽栅单元上；
其中，所述第一沟槽栅单元和所述第二沟槽栅单元相邻侧之间设有第一阱区，所述第一沟槽栅单元远离所述第二沟槽栅单元侧设有第二阱区和第一源区，所述第二沟槽栅极单元远离所述第一沟槽栅单元侧设有第三阱区和第二源区。
2.根据权利要求1所述的新型IGBT结构，其特征在于，其中，相邻所述元胞结构之间的多个所述连接层相互交叉排布。
3.根据权利要求2所述的新型IGBT结构，其特征在于，其中，每个所述元胞结构中的多个所述连接层等间距排布。
4.根据权利要求3所述的新型IGBT结构，其特征在于，所述连接层为多晶硅覆盖层。
5.根据权利要求4所述的新型IGBT结构，其特征在于，所述第一阱区、所述第一沟槽栅单元和所述第二沟槽栅单元临近所述漂移区的侧边位于同一直线上。
6.根据权利要求5所述的新型IGBT结构，其特征在于，其中，所述第二阱区和所述第一源区，以及所述第三阱区和所述第二源区均连接发射极金属。
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