[实用新型]一种硅晶圆蚀刻辅助装置有效
申请号: | 202021192808.1 | 申请日: | 2020-06-24 |
公开(公告)号: | CN212161766U | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 夏新 | 申请(专利权)人: | 夏新 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙) 11589 | 代理人: | 曹玉清 |
地址: | 331409 江西省吉安*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种硅晶圆蚀刻辅助装置,包括置物座、限位机构、驱动机构和清洁机构,所述置物座上半部的中心开设有置物槽,且置物槽的中心设有两组对称的限位机构,两组所述限位机构的内周之间设有放置于置物槽内周的工件,所述置物座上半部靠近置物槽的两侧均开设有驱动槽,且两组驱动槽的内周之间设有驱动机构,所述驱动机构内周与清洁机构的顶部连接,且清洁机构的外周与置物槽的内周相适配,所述置物座下半部的中心开设有回收槽,且回收槽的顶部钻设有多组与置物槽连通的通孔,回收槽的内周通过滑动轨道安装有带有把手的回收屉。该硅晶圆蚀刻辅助装置,能够根据需要进行调节,同时能够对工件进行清洁预处理。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅晶圆 蚀刻 辅助 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造