[实用新型]一种硅晶圆蚀刻辅助装置有效
申请号: | 202021192808.1 | 申请日: | 2020-06-24 |
公开(公告)号: | CN212161766U | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 夏新 | 申请(专利权)人: | 夏新 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙) 11589 | 代理人: | 曹玉清 |
地址: | 331409 江西省吉安*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅晶圆 蚀刻 辅助 装置 | ||
本实用新型公开了一种硅晶圆蚀刻辅助装置,包括置物座、限位机构、驱动机构和清洁机构,所述置物座上半部的中心开设有置物槽,且置物槽的中心设有两组对称的限位机构,两组所述限位机构的内周之间设有放置于置物槽内周的工件,所述置物座上半部靠近置物槽的两侧均开设有驱动槽,且两组驱动槽的内周之间设有驱动机构,所述驱动机构内周与清洁机构的顶部连接,且清洁机构的外周与置物槽的内周相适配,所述置物座下半部的中心开设有回收槽,且回收槽的顶部钻设有多组与置物槽连通的通孔,回收槽的内周通过滑动轨道安装有带有把手的回收屉。该硅晶圆蚀刻辅助装置,能够根据需要进行调节,同时能够对工件进行清洁预处理。
技术领域
本实用新型属于硅晶生产加工设备技术领域,具体涉及一种硅晶圆蚀刻辅助装置。
背景技术
晶圆便是硅元素加以纯化,接着是将这些纯硅制成长硅晶棒,成为制造积体电路的石英半导体的材料,经过照相制版、研磨、抛光、切片等程序,将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒,然后切割成一片一片薄薄的晶圆。现阶段,硅晶圆在生产和加工的过程中,需要对其表面形成的氧化层进行蚀刻处理,在蚀刻处理的过程中,需要配合使用辅助装置对材料进行限位固定,现有的硅晶圆蚀刻辅助装置,在使用的过程中,不能很好地根据需要进行调节,同时由于缺少预处理结构,导致蚀刻处理的效果一般,
因此针对这一现状,迫切需要设计和生产一种硅晶圆蚀刻辅助装置,以满足实际使用的需要。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种硅晶圆蚀刻辅助装置,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种硅晶圆蚀刻辅助装置,包括置物座、限位机构、驱动机构和清洁机构,所述置物座上半部的中心开设有置物槽,且置物槽的中心设有两组对称的限位机构,两组所述限位机构的内周之间设有放置于置物槽内周的工件,所述置物座上半部靠近置物槽的两侧均开设有驱动槽,且两组驱动槽的内周之间设有驱动机构,所述驱动机构内周与清洁机构的顶部连接,且清洁机构的外周与置物槽的内周相适配;
所述置物座下半部的中心开设有回收槽,且回收槽的顶部钻设有多组与置物槽连通的通孔,回收槽的内周通过滑动轨道安装有带有把手的回收屉。
优选的,所述限位机构包括气缸和弧形的夹板,所述气缸的底座与置物座对应的一侧固定焊接,所述气缸的驱动端贯穿置物座,且驱动端贯穿置物座的一端与夹板外周的中心固定焊接。
优选的,所述驱动机构包括两组直线电机和倒U形的驱动座,两组直线电机的固定部分别与对应的驱动槽的内周固定焊接,两组所述直线电机的移动部的上方设有驱动座,且驱动座两侧弯折部的底端分别与对应的直线电机的移动部的顶端固定焊接。
优选的,所述清洁机构包括清洁辊、支撑柱和中空柱,所述清洁辊的中心一体成型有转轴,且清洁辊靠近转轴的两侧均设有支撑柱,转轴的两端通过焊接的轴承座分别与对应的支撑柱的下半部转动连接,两组所述支撑柱上半部的外周均与中空柱的空腔部分榫接,且两组支撑柱的顶端与对应的中空柱的内周之间均固定焊接有压簧,两组所述中空柱的顶端均与驱动机构的驱动座内周的顶部固定焊接。
优选的,两组所述限位机构的夹板的内周之间设有工件,且工件放置于置物槽内周底部的中心。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造