[实用新型]一种高光提取率的LED的结构化基底有效
| 申请号： | 202021178859.9 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN212011016U | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 张江鹏;李婷婷;李会杰;孟立智;宋士增 | 申请（专利权）人： | 同辉电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24;H01L33/10;H01L33/06;H01L33/46 |
| 代理公司： | 石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙) 13115 | 代理人： | 刘闻铎 |
| 地址： | 050200 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高光提取率的LED的结构化基底，包括主基底层和结构化层，主基底层的顶端与结构化层的底端固定连接，主基底层包括蓝宝石衬底，蓝宝石衬底的顶端铺设有LED外延层，LED外延层的中部固定设有块状凸起，结构化层包括与块状凸起顶端连接的P型半导体，P型半导体的顶端固定设有量子阱发光层，量子阱发光层的顶端固定设有N型半导体，本实用新型的有益效果是通过设有的块状凸起、介质高反膜和氮化硅薄膜层，可以最大程度限制LED光子横向传输的光子损失，从而提高了器件的光提取效率，大大提高了LED侧壁光的输出率，通过设有的量子阱发光层和金属反光层，提高光子的纵向出射几率，有效提高LED的光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提取 led 结构 基底 | ||
【主权项】：
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