[实用新型]一种高光提取率的LED的结构化基底

权利要求书

1.一种高光提取率的LED的结构化基底，包括主基底层(1)和结构化层(2)，其特征在于，所述主基底层(1)的顶端与结构化层(2)的底端固定连接，所述主基底层(1)包括蓝宝石衬底(3)，所述蓝宝石衬底(3)的顶端铺设有LED外延层(7)，所述LED外延层(7)的中部固定设有块状凸起(5)，所述块状凸起(5)的顶端与结构化层(2)的底端固定连接，所述结构化层(2)包括与块状凸起(5)顶端连接的P型半导体(9)，所述P型半导体(9)的顶端固定设有量子阱发光层(11)，所述量子阱发光层(11)的顶端固定设有N型半导体(4)。

2.根据权利要求1所述的一种高光提取率的LED的结构化基底，其特征在于：所述N型半导体(4)的一侧固定设有N型欧姆电极(13)。

3.根据权利要求1所述的一种高光提取率的LED的结构化基底，其特征在于：所述P型半导体(9)的一侧固定设有P型欧姆电极(12)。

4.根据权利要求1所述的一种高光提取率的LED的结构化基底，其特征在于：所述蓝宝石衬底(3)的底端固定设有金属反光层(6)。

5.根据权利要求1所述的一种高光提取率的LED的结构化基底，其特征在于：所述块状凸起(5)与P型半导体(9)之间通过设有的氮化硅薄膜层(8)连接。

6.根据权利要求1所述的一种高光提取率的LED的结构化基底，其特征在于：所述块状凸起(5)的两侧均固定设有多层介质高反膜(10)。

7.根据权利要求1所述的一种高光提取率的LED的结构化基底，其特征在于：所述N型半导体(4)的厚度和P型半导体(9)的厚度均为3微米。