[实用新型]一种高耐压晶闸管有效
申请号: | 202021106859.8 | 申请日: | 2020-06-15 |
公开(公告)号: | CN212113727U | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 刘秋林;徐日旺 | 申请(专利权)人: | 江苏晶中电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/74 |
代理公司: | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人: | 曹慧萍 |
地址: | 214000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种高耐压晶闸管,其结构设计简单合理,可确保晶闸管芯片的高电压上升率,同时可保证晶闸管芯片具有高耐压性,避免芯片被击穿,其包括壳体、封装于壳体内的晶闸管芯片,晶闸管芯片为圆形PNPN结构,包括依次布置的阳极掺杂区P1层、长基区N1层、门极短基区P2层及间隔布置的阴极发射区N2层,由P1层、N2层分别引出钼片阳极A、阴极K,PNPN结构终端涂覆有保护胶层,N2层表面设有金属镀层,金属镀层还包括由内向外依次分布的门极G、若干个放大门极、阴极K,P2层与N2层之间分布有若干短路点,短路点均匀间隔分布,相邻两个短路点之间的距离小于等于1.06mm。 | ||
搜索关键词: | 一种 耐压 晶闸管 | ||
【主权项】:
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