[实用新型]一种高耐压晶闸管

权利要求书

1.一种高耐压晶闸管，其包括壳体、封装于所述壳体内的晶闸管芯片，所述晶闸管芯片为圆形PNPN结构，包括依次布置的阳极掺杂区P1层、长基区N1层、门极短基区P2层及间隔布置的阴极发射区N2层，由所述P1层、N2层分别引出钼片阳极(A)、阴极(K)，所述PNPN结构终端涂覆有保护胶层，所述晶闸管芯片表面设有金属镀层，所述金属镀层还包括由内向外依次分布的门极(G)、放大门极、所述阴极(K)，所述门极(G)由所述P2层引出，所述放大门极用于所述N2层与所述P2层连接，所述阴极(K)由所述N2层引出，其特征在于，其还包括短路点，所述短路点贯穿所述N2层，并沿所述N2层均匀间隔分布，相邻两个短路点之间的距离小于等于1.06mm。

2.根据权利要求1所述的一种高耐压晶闸管，其特征在于：所述放大门极包括至少两个，所述放大门极以所述门极(G)为中心呈发散状引出。

3.根据权利要求2所述的一种高耐压晶闸管，其特征在于：所述放大门极为直线形，所述放大门极包括三个。

4.根据权利要求1或3任一项所述的一种高耐压晶闸管，其特征在于：所述PNPN结构的电阻率为230Ω·cm～260Ω·cm，厚度为890μm～910μm，直径为76.1mm～76.3mm。

5.根据权利要求4所述的一种高耐压晶闸管，其特征在于：所述P1层、P2层均为铝镓扩散区，所述铝、镓扩散后的结深为120μm～130μm，表面浓度表现为方块电阻的测量值范围为16Ω/Sq～18Ω/Sq。

6.根据权利要求5所述的一种高耐压晶闸管，其特征在于：所述N1层、N2层均为磷掺杂区，所述磷掺杂区的结深为27μm～33μm，表面浓度表现为方块电阻的测量值小于等于0.15Ω/Sq。

7.根据权利要求6所述的一种高耐压晶闸管，其特征在于：所述短路点的直径小于等于0.22mm。