[实用新型]一种用于改善刻蚀均匀性的等离子刻蚀装置有效
| 申请号： | 202021097935.3 | 申请日： | 2020-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN212303604U | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 韩大健;李娜;冯英雄;车东晨;许开东 | 申请（专利权）人： | 北京鲁汶半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/02 | 分类号： | H01J37/02;H01J37/305;H01J37/32 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 肖鹏 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于改善刻蚀均匀性的等离子刻蚀装置，包括工艺腔室和下电极；所述下电极与工艺腔室的底板上端面相接；还包括多个下工艺气体通道；所述下工艺气体通道的进气端口位于工艺腔室外部；所述下工艺气体通道的出气端口靠近下电极上端面外缘。本实用新型通过下工艺气体通道；朝向下电极上端面外缘附近供应工艺气体，增大下电极边缘的工艺气体供气量，加快下电极边缘的刻蚀速度，使下电极边缘区域与下电极中心区域刻蚀速度相近，改善刻蚀均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 改善 刻蚀 均匀 等离子 装置 | ||
【主权项】：
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