[实用新型]一种用于改善刻蚀均匀性的等离子刻蚀装置

权利要求书

1.一种用于改善刻蚀均匀性的等离子刻蚀装置，包括工艺腔室（1）和下电极（2）；所述下电极（2）与工艺腔室（1）的底板上端面相接；其特征在于：还包括多个下工艺气体通道（4）；所述下工艺气体通道（4）的进气端口（401）位于工艺腔室（1）外部；所述下工艺气体通道（4）的出气端口（402）靠近下电极（2）上端面外缘。

2.根据权利要求1所述的用于改善刻蚀均匀性的等离子刻蚀装置，其特征在于：所述下电极（2）的侧壁外周套装有保护环（10）；所述保护环（10）的内壁与下电极（2）的侧壁设置有间隙。

3.根据权利要求1或2所述的用于改善刻蚀均匀性的等离子刻蚀装置，其特征在于：所述下工艺气体通道（4）开孔设置在下电极（2）与工艺腔室（1）的底板。

4.根据权利要求3所述的用于改善刻蚀均匀性的等离子刻蚀装置，其特征在于：所述下工艺气体通道（4）的出气端口（402）位于下电极（2）的侧壁。

5.根据权利要求4所述的用于改善刻蚀均匀性的等离子刻蚀装置，其特征在于：所述下电极（2）与工艺腔室（1）的底板上端面之间设置有绝缘垫（11）；所述下工艺气体通道（4）开孔设置在下电极（2）、绝缘垫（11）及工艺腔室（1）的底板。

6.根据权利要求1所述的用于改善刻蚀均匀性的等离子刻蚀装置，其特征在于：所述下工艺气体通道（4）仅开孔设置在工艺腔室（1）的底板；所述下工艺气体通道（4）的出气端口（402）位于工艺腔室（1）的底板上端面，且靠近所述下电极（2）的侧壁。

7.根据权利要求2所述的用于改善刻蚀均匀性的等离子刻蚀装置，其特征在于：所述下工艺气体通道（4）仅开孔设置在工艺腔室（1）的底板；所述下工艺气体通道（4）的出气端口（402）位于工艺腔室（1）的底板上端面，且位于所述保护环（10）的内壁与下电极（2）的侧壁之间的间隙处。

8.根据权利要求1或2所述的用于改善刻蚀均匀性的等离子刻蚀装置，其特征在于：所述工艺腔室（1）的底板开设有安装孔；所述下电极（2）外缘的下端面与工艺腔室（1）的底板上端面相接；所述下电极（2）中心处位于安装孔的正上方；所述下工艺气体通道（4）仅开孔设置在下电极（2）；所述下工艺气体通道（4）的进气端口（401）位于所述下电极（2）中心处的下端面。

9.根据权利要求8所述的用于改善刻蚀均匀性的等离子刻蚀装置，其特征在于：所述下工艺气体通道（4）的出气端口（402）位于下电极（2）的侧壁。

10.根据权利要求1所述的用于改善刻蚀均匀性的等离子刻蚀装置，其特征在于：所述工艺腔室（1）的侧壁设置有真空泵（12）；靠近真空泵（12）所在一侧的下工艺气体通道（4）的出气端口（402）的数量多于远离真空泵（12）所在一侧的下工艺气体通道（4）的出气端口（402）的数量。