[实用新型]一种沟槽式肖特基二极管有效
| 申请号： | 202021065784.3 | 申请日： | 2020-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN212342642U | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 费龙庆;张崇健 | 申请（专利权）人： | 奈沛米(上海)半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙) 11301 | 代理人： | 何佳 |
| 地址： | 200120 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种沟槽式肖特基二极管，包括一基板，其包括一高掺杂浓度N型硅基板及一位在该高掺杂浓度N型硅基板上方的低掺杂浓度N型外延层；该低掺杂浓度N型外延层的上部具有多个位在该基板外侧区域的外侧沟槽及多个位在该基板内侧区域的内侧沟槽；各外侧沟槽的底部下方具有一P型注入区域；一栅极氧化层覆盖在各外侧沟槽及各内侧沟槽内部及该低掺杂浓度N型外延层上位在最外侧的内侧沟槽的外侧的上表面上；各外侧沟槽及各内侧沟槽的内部填充一多晶硅结构，其覆盖在对应的栅极氧化层上方；一掩膜层覆盖于各外侧沟槽的多晶硅结构上方及最外侧的内侧沟槽的外侧的栅极氧化层上方；一金属溅镀层覆盖在该低掺杂浓度N型外延层上位在各内侧沟槽之间的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 式肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奈沛米(上海)半导体有限公司，未经奈沛米(上海)半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202021065784.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于补充油或气的泛用型阀门
- 下一篇：高密性气体采样及气味评价装置
- 同类专利
- 专利分类
