[实用新型]一种沟槽式肖特基二极管

权利要求书

1.一种沟槽式肖特基二极管，其特征在于，包括：

一基板，该基板包括一高掺杂浓度N型硅基板，以及一位在该高掺杂浓度N型硅基板上方的低掺杂浓度N型外延层，

其中该低掺杂浓度N型外延层的上部具有多个位在该基板外侧区域的外侧沟槽、及多个位在该基板内侧区域的内侧沟槽，

其中各外侧沟槽的底部下方具有一P型注入区域，该P型注入区域为活化的硼离子注入层，其中该P型注入区域在该外侧沟槽的下方形成一P井；

一栅极氧化层，覆盖在各外侧沟槽的内侧壁及底部上、各内侧沟槽的内侧壁及底部上、及该低掺杂浓度N型外延层上，该栅极氧化层位在最外侧的内侧沟槽的外侧的上表面上，

其中各外侧沟槽及各内侧沟槽的内部填充一多晶硅结构，该多晶硅结构覆盖在对应的外侧沟槽或内侧沟槽内的栅极氧化层上方；

一掩膜层，覆盖于各外侧沟槽的多晶硅结构上方、及最外侧的内侧沟槽的外侧的栅极氧化层上方；该掩膜层为一氧化层；

一金属溅镀层，覆盖在该低掺杂浓度N型外延层上，该金属溅镀层位在各内侧沟槽之间的上表面上方、各内侧沟槽的栅极氧化层及多晶硅结构上方、及该掩膜层的一部份的上方；

其中，该金属溅镀层及该低掺杂浓度N型外延层上位在各内侧沟槽之间的上表面结合时能够形成肖基结面。

2.如权利要求1所述的沟槽式肖特基二极管，其特征在于，该外侧沟槽及该内侧沟槽的上端比下端宽，而呈由上往下渐缩的型态；其中该外侧沟槽的上方开口的宽度为该内侧沟槽的上方开口的宽度的2倍至4倍。

3.如权利要求1所述的沟槽式肖特基二极管，其特征在于，该金属溅镀层包括一位在下方的第一金属层及一位在该第一金属层上方的第二金属层。

4.如权利要求3所述的沟槽式肖特基二极管，其特征在于，该第一金属层的材料为钛金属，其中该第一金属层用于与下方的氧化层形成钛氧化物，该第二金属层的材料为铝、硅、铜的合金。

5.如权利要求1所述的沟槽式肖特基二极管，其特征在于，该掩膜层未被该金属溅镀层覆盖的区域位在该掩膜层的外侧；其中该掩膜层未被该金属溅镀层覆盖的区域形成一凹陷结构。

6.一种沟槽式肖特基二极管，其特征在于，包括：

一基板，该基板包括一高掺杂浓度N型硅基板，以及一位在该高掺杂浓度N型硅基板上方的低掺杂浓度N型外延层，

其中该低掺杂浓度N型外延层的上部具有一位在该基板外侧区域的外侧沟槽、及至少一位在该基板内侧区域的内侧沟槽；

一第一掩膜层，覆盖在该低掺杂浓度N型外延层上位于该外侧沟槽及最外侧的内侧沟槽之间的上表面上方、及该低掺杂浓度N型外延层上位于该外侧沟槽外侧的上表面上方；该第一掩膜层为一氧化层，

其中该第一掩膜层具有一外侧穿孔，该外侧穿孔位在该外侧沟槽的上方，且该外侧穿孔的尺寸对应于该外侧沟槽的上方开口尺寸；

其中该外侧沟槽的内侧壁及底部周缘上、及各内侧沟槽的内侧壁及底部上分别覆盖有一第一氧化层；

其中该外侧沟槽及各内侧沟槽内部分别有一多晶硅结构；其中位在该外侧沟槽的多晶硅结构覆盖在该外侧沟槽的第一氧化层上表面及该外侧穿孔的侧壁下段；其中位在各内侧沟槽的多晶硅结构覆盖在对应的内侧沟槽的第一氧化层上方且其上端突出于对应的内侧沟槽；

一P型注入区域，位在该外侧沟槽的底部下方；该P型注入区域为活化的硼离子注入层；其中该P型注入区域在该外侧沟槽的下方形成一P井；

一第二掩膜层，覆盖在最外侧的内侧沟槽上方、该第一掩膜层上方、该第一氧化层上方、及该外侧沟槽的底部上方；该第二掩膜层为一氧化层；

一硅化层，位在该低掺杂浓度N型外延层的上表面，且位在各内侧沟槽之间；该硅化层用于连接上方的金属以及下方的低掺杂浓度N型外延层，以便形成肖基结面；

一金属溅镀层，覆盖在该硅化层上方、各内侧沟槽的多晶硅结构上方、及该第二掩膜层的一部份上方。

7.如权利要求6所述的沟槽式肖特基二极管，其特征在于，该外侧沟槽及该内侧沟槽的上端比下端宽，而呈由上往下渐缩的型态；其中该外侧沟槽的上方开口的宽度大于该内侧沟槽的上方开口的宽度。