[实用新型]栅极结构有效
| 申请号: | 202021019541.6 | 申请日: | 2020-06-05 |
| 公开(公告)号: | CN211929495U | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
| 发明(设计)人: | 张钦福;林昭维;朱家仪;童宇诚 | 申请(专利权)人: | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号: | H01L29/423 | 分类号: | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28 |
| 代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 王宏婧 |
| 地址: | 362200 福建省泉州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | 本实用新型公开了一种栅极结构,包含一有源区、一第一介电层位于所述有源区上且位于栅极图案两侧的边缘部位、一第二介电层位于所述栅极图案中间的所述有源区上以及所述栅极图案两侧的边缘部位的所述第一介电层上,其中所述第二介电层位于所述第一介电层上的部位的厚度大于所述第二介电层位于所述有源区上的部位的厚度、一导电层位于所述第二介电层上、一阻障层位于所述导电层上、一金属层位于所述阻障层上,其中所述阻障层围绕在所述金属层的底面与侧壁上、以及一氮化硅层位于所述金属层上。本实用新型具有特殊的栅极介电层设计,可以抑制GIDL问题,同时又不会引起其他不良的影响。 | ||
| 搜索关键词: | 栅极 结构 | ||
【主权项】:
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