[实用新型]一种IGBT模块用的DBC结构有效
| 申请号： | 202020989365.2 | 申请日： | 2020-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN211879386U | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 秦潇峰;严明会;胡强;蒋兴莉;王思亮 | 申请（专利权）人： | 成都森未科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/49;H01L25/00 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 苏丹 |
| 地址： | 610000 四川省成都市中国（四川）自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请属于半导体封装以及功率模块领域，特别是一种IGBT模块用的DBC结构，其包括陶瓷绝缘基板，所述陶瓷绝缘基板的正面设置有上桥IGBT芯片、上桥二极管芯片、下桥IGBT芯片、下桥二极管芯片、NTC温度传感器和多个表面铜箔；所述上桥IGBT芯片以及上桥二极管芯片通过表面铜箔连接，上桥二极管芯片及上桥IGBT芯片连接与下桥IGBT芯片及下桥二极管芯片，下桥IGBT芯片与下桥二极管芯片通过表面铜箔引出。本申请的布局方式，实现了多芯片并联，有平衡各芯片之间电流的优势，上桥IGBT集电极与二极管阴极的通过两条平行铜箔，可以减少这部分的寄生电感。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 模块 dbc 结构 | ||
【主权项】：
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