[实用新型]一种IGBT模块用的DBC结构有效
| 申请号： | 202020989365.2 | 申请日： | 2020-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN211879386U | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 秦潇峰;严明会;胡强;蒋兴莉;王思亮 | 申请（专利权）人： | 成都森未科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/49;H01L25/00 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 苏丹 |
| 地址： | 610000 四川省成都市中国（四川）自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 模块 dbc 结构 | ||
1.一种IGBT模块用的DBC结构，其特征在于：包括陶瓷绝缘基板（000），所述陶瓷绝缘基板（000）的正面设置有上桥IGBT芯片（001）、上桥二极管芯片（002）、下桥IGBT芯片（016）、下桥二极管芯片（017）、NTC温度传感器（005）和多个表面铜箔；所述上桥IGBT芯片（001）以及上桥二极管芯片（002）通过表面铜箔连接，上桥二极管芯片（002）及上桥IGBT芯片（001）连接与下桥IGBT芯片（016）及下桥二极管芯片（017），下桥IGBT芯片（016）与下桥二极管芯片（017）通过表面铜箔引出。
2.根据权利要求1所述的一种IGBT模块用的DBC结构，其特征在于：所述上桥二极管芯片（002）的阳极与上桥IGBT芯片（001）的发射极通过多条键合线连接到下桥IGBT芯片（016）的集电极与下桥二极管芯片（017）的阴极。
3.根据权利要求2所述的一种IGBT模块用的DBC结构，其特征在于：所述键合线为铝线、铜线或铜带结构。
4.根据权利要求1所述的一种IGBT模块用的DBC结构，其特征在于：多个表面铜箔包括下桥IGBT芯片的栅极控制回路铜箔（003）、上桥IGBT芯片的栅极回路铜箔（004）、第一表面铜箔（006）、第二表面铜箔（007）和第三表面铜箔（008），陶瓷绝缘基板（000）正面的两侧分别设置有平行的第三表面铜箔（008），所述第三表面铜箔（008）连接上桥IGBT芯片（001）的集电极以及上桥二极管芯片（002）的阴极。
5.根据权利要求1所述的一种IGBT模块用的DBC结构，其特征在于：下桥IGBT芯片（016）的发射极与下桥二极管芯片（017）的阳极通过一条第二表面铜箔（007）引出。
6.根据权利要求1所述的一种IGBT模块用的DBC结构，其特征在于：陶瓷绝缘基板（000）上的控制回路包括上桥IGBT芯片的栅极回路铜箔（004）、上桥IGBT芯片的发射极回路铜箔（018）、下桥IGBT芯片的栅极控制回路铜箔（003）和下桥IGBT芯片的发射极回路铜箔（019）。
7.根据权利要求6所述的一种IGBT模块用的DBC结构，其特征在于：第二表面铜箔（007）和下桥IGBT芯片的发射极回路铜箔（019）在电学上相互连接；其中第二表面铜箔（007）比下桥IGBT芯片的发射极回路铜箔（019）的宽度更宽，第二表面铜箔（007）电阻低用于通过大电流；下桥IGBT芯片的发射极回路铜箔（019）为采集第二表面铜箔（007）上电势，为下桥IGBT芯片的栅极控制回路铜箔（003）提供相对零电势。
8.根据权利要求4所述的一种IGBT模块用的DBC结构，其特征在于：第一表面铜箔（006）通过多条键合线与上桥二极管芯片（002）相连，构成功率信号输出端。
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