[实用新型]高衰减晶体滤波器有效
| 申请号： | 202020947518.7 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN212183493U | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 董楠 | 申请（专利权）人： | 辽阳鸿宇晶体有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/19 | 分类号： | H03H9/19;H03H9/56;H03H9/02 |
| 代理公司： | 沈阳鼎恒知识产权代理事务所(普通合伙) 21245 | 代理人： | 赵月娜 |
| 地址： | 111000 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种高衰减晶体滤波器，包括基座组、外壳、电路板、滤波晶体、变量器和片式电容器，其技术要点是：电路板垂直焊接于基座组上表面且每对滤波晶体中位于下方的滤波晶体与基座组上表面焊接，两对滤波晶体之间焊接有竖向铜片且竖向铜片的下端与基座组上表面焊接，两对滤波晶体中位于上方的两个滤波晶体与外壳内顶面之间焊接有水平方向布置的铜片接地部，铜片接地部由多片叠放的水平铜片组成，竖向铜片的上端与铜片接地部下表面焊接。其结构简单、使用可靠，解决了采用电阻焊封装的高衰减滤波器接地措施困难的问题，保证采用电阻焊封装的晶体滤波器的高衰减指标。 | ||
| 搜索关键词： | 衰减 晶体滤波器 | ||
【主权项】：
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