[实用新型]高衰减晶体滤波器

权利要求书

1.一种高衰减晶体滤波器，包括采用电阻焊封装的基座组和外壳、设于外壳中的电路板、设于电路板上的滤波晶体、变量器和片式电容器，所述滤波晶体的数量为四个，两两一对并列焊接于电路板上，每对滤波晶体上、下叠放，其特征在于：所述电路板垂直焊接于基座组上表面且每对滤波晶体中位于下方的滤波晶体与基座组上表面焊接，两对滤波晶体之间焊接有竖向铜片且竖向铜片的下端与基座组上表面焊接，所述变量器的数量为两个，对称设于滤波晶体两侧的电路板上，所述片式电容器的数量为七个，分别焊接于电路板背向滤波晶体侧，两对滤波晶体中位于上方的两个滤波晶体与外壳内顶面之间焊接有水平方向布置的铜片接地部，所述铜片接地部由多片叠放的水平铜片组成，所述竖向铜片的上端与铜片接地部下表面焊接。

2.根据权利要求1所述的高衰减晶体滤波器，其特征在于：四个滤波晶体分别为滤波晶体MCF1、滤波晶体MCF2、滤波晶体MCF3和滤波晶体MCF4，两个变量器分别为变量器L1和变量器L2，七个片式电容器分别为片式电容器C1、片式电容器C2、片式电容器C3、片式电容器C4、片式电容器C5、片式电容器C6和片式电容器C7，所述片式电容器C6一端与信号输入端连接，另一端与变量器L1的一个接线端连接，变量器L1的另一接线端与滤波晶体MCF1的输入引线连接，所述变量器L1与滤波晶体MCF1的公共端对地连接片式电容器C1，所述滤波晶体MCF1的输出引线与滤波晶体MCF2的输入引线连接，滤波晶体MCF1和滤波晶体MCF2的公共端对地连接片式电容器C3，所述滤波晶体MCF2的输出引线与滤波晶体MCF3的输入引线连接，滤波晶体MCF2和滤波晶体MCF3的公共端对地连接片式电容器C4，所述滤波晶体MCF3的输出引线与滤波晶体MCF4的输入引线连接，滤波晶体MCF3和滤波晶体MCF4的公共端对地连接片式电容器C5，所述滤波晶体MCF4的输出端与变量器L2的一个接线端连接，变量器L2的另一个接线端与片式电容器C7一端连接，片式电容器C7另一端与信号输出端连接，所述滤波晶体MCF4与变量器L2的公共端对地连接片式电容器C2。

3.根据权利要求1所述的高衰减晶体滤波器，其特征在于：所述基座组设有与一个片式电容器连接的输入引线、与另一个片式电容器连接的输出引线。

4.根据权利要求1所述的高衰减晶体滤波器，其特征在于：所述滤波晶体为三引线滤波晶体，具有一个接地引线，一个输入引线，一个输出引线。

5.根据权利要求1所述的高衰减晶体滤波器，其特征在于：所述外壳长30mm，宽20mm，基座组底面至外壳顶面距离为8.5mm。