[实用新型]一种离子束刻蚀旋转平台有效
| 申请号： | 202020946526.X | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN211957594U | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 程实然;郭颂;陈兆超;李娜;王铖熠;刘海洋;胡冬冬;许开东 | 申请（专利权）人： | 北京鲁汶半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/20 | 分类号： | H01J37/20;H01J37/32;H01L21/687 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 李想 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种离子束刻蚀旋转平台，属于半导体加工领域。旋转平台的上部结构上端面设有基座；基座上端面设有静电卡盘，静电卡盘的下端面内设有若干条静电卡盘内冷却水道；上部结构与下部结构的轴向中心处设有与其内腔体相互贯通的旋转磁流体轴；上部结构的下端设有延伸部，延伸部延伸至下部结构的腔体内；下部结构的腔体内高扭矩电机；高扭矩电机布置在下部结构的腔体内，高扭矩电机与旋转磁流体轴相连并驱动转动；旋转磁流体轴的顶端与静电卡盘相固定；上部结构的腔体内位于基座的下端面设有顶针装置。离子束刻蚀旋转平台为上下圆柱体结构，结构紧凑、简单，区分明显，旋转平台为上下圆柱体结构，结构区分明显，重量较小，安装维护方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子束 刻蚀 旋转 平台 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京鲁汶半导体科技有限公司，未经北京鲁汶半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202020946526.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种变频调速电机
- 下一篇：一种晶硅太阳能电池正面电极图形结构
