[实用新型]终结端结构及应用其的JFET器件、沟槽MOS器件和沟槽二极管有效
| 申请号： | 202020811527.3 | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN212625589U | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 陈欣璐;黄兴;陈然 | 申请（专利权）人： | 派恩杰半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/808;H01L29/78;H01L29/861 |
| 代理公司： | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人： | 董世博 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市滨江区浦*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种终结端结构及应用其的JFET器件、沟槽MOS器件和沟槽二极管，其中终结端结构包括：碳化硅衬底(001)，所述碳化硅衬底(001)具有第一导电类型；碳化硅衬底(001)上生长的碳化硅外延(002)，在碳化硅外延(002)上前半部分设置结终端延申区的刻蚀(005)和沟槽底部第二导电类型注入(006)，后半部分设置刻蚀的多个沟槽(003)，在所述沟槽(003)中注入的第二导电类型注入区(004)。 | ||
| 搜索关键词： | 终结 结构 应用 jfet 器件 沟槽 mos 二极管 | ||
【主权项】：
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