[实用新型]终结端结构及应用其的JFET器件、沟槽MOS器件和沟槽二极管

权利要求书

1.一种终结端结构，其特征在于，包括：

碳化硅衬底(001)，所述碳化硅衬底(001)具有第一导电类型；

碳化硅衬底(001)上生长的碳化硅外延(002)，在碳化硅外延(002)上前半部分设置结终端延申区的刻蚀(005)和沟槽底部第二导电类型注入(006)，后半部分设置刻蚀的多个沟槽(003)，在所述沟槽(003)中注入的第二导电类型注入区(004)。

2.如权利要求1所述的终结端结构，其特征在于，沟槽的宽度均相等，但沟槽的间距为等差数列，越到边缘沟槽间的间距越宽。

3.如权利要求1或2所述的终结端结构，其特征在于，沟槽中填充BPSG/SIN材料作为钝化层(008)，有源区金属层(007)部分覆盖在钝化层(008)之上。

4.如权利要求1或2所述的终结端结构，其特征在于，在所述沟槽(003)间隔的顶部设置有第一导电类型注入区(009)。

5.如权利要求3所述的终结端结构，其特征在于，在所述沟槽(003)间隔的顶部设置有第一导电类型注入区(009)。

6.一种JFET器件，其特征在于，包括设置在一侧的包括多个元胞结构的JFET器件有源区，以及设置在另一侧的如权利要求1至5任一所述的终结端结构，所述JFET器件有源区包括与终结端结构共有的JFET器件第一导电类型碳化硅衬底(101)，JFET器件碳化硅外延(102)，JFET器件背面源极金属(111)，JFET器件第二导电类型基区(106)，JFET器件第一导电类型源区(109)和设置在JFET器件第二导电类型基区(106)与JFET器件第一导电类型源区(109)的JFET器件极间隔离介质(110)。

7.一种沟槽MOS器件，其特征在于，包括设置在一侧的包括多个元胞结构的沟槽MOS器件有源区，以及设置在另一侧的如权利要求1至5任一所述的终结端结构，所述沟槽MOS器件有源区包括沟槽MOS器件第一导电类型衬底(301)，沟槽MOS器件第一导电类型外延(302)，沟槽MOS器件背面源极金属(311)，沟槽MOS器件第二导电类型基区(306)和沟槽MOS器件第二导电类型体区(310)，沟槽MOS器件第一导电类型源区(315)，沟槽MOS器件栅极氧化层(312)，沟槽MOS器件栅极介质(313)和沟槽MOS器件极间隔离介质(314)。

8.一种沟槽二极管，其特征在于，包括设置在一侧的包括多个元胞结构的沟槽二极管有源区，以及设置在另一侧的如权利要求1至5任一所述的终结端结构，沟槽二极管有源区包括沟槽二极管第一导电类型衬底(501)，沟槽二极管第一导电类型外延(502)，沟槽二极管背面金属(511)和沟槽二极管第二导电类型JBS注入(510)。