[实用新型]一种功率半导体器件低热阻封装结构有效
| 申请号： | 202020664167.9 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN211700264U | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 马明驼;管安琪;鲜明 | 申请（专利权）人： | 上海共晶电子科技有限公司;芜湖鼎联电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/492;H01L23/29;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 申丹宁 |
| 地址： | 201506 上海市金山*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种功率半导体器件低热阻封装结构，包括在压接塑封体中依次设置的电极互联片、功率芯片和引线框架，所述电极互联片与功率芯片之间的电极压接区域设有压接缓冲层，所述电极互联片与引线框架之间通过引脚焊接层连接，所述引线框架的芯片固晶区周边设有若干塑封体锚固孔。与现有技术相比，本实用新型实现芯片与电极互联片和引线框架间可靠的电热应力压接，压接塑封体与引线框架间形成温度补偿型贯通式刚性连接，构成芯片的双面散热通道，使器件获得在极端工作条件下更加优良的电热特性和宽泛的安全工作区域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 低热 封装 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海共晶电子科技有限公司;芜湖鼎联电子科技有限公司，未经上海共晶电子科技有限公司;芜湖鼎联电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202020664167.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：磁电式转速传感器及转速检测系统
- 下一篇：一种新型多功能钳形表
