[实用新型]利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的F-P磁场传感器有效
| 申请号： | 202020651005.1 | 申请日： | 2020-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN212514973U | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 张登伟;梁璀;魏鹤鸣 | 申请（专利权）人： | 浙江大学;上海大学 |
| 主分类号： | G01R33/032 | 分类号： | G01R33/032;G01D5/353;G01R33/00;B29C64/135;B33Y10/00;B33Y80/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 郑海峰 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的F‑P磁场传感器，其特征在于包含单模光纤、毛细管和F‑P腔微结构；所述F‑P腔微结构与所述单模光纤的一端由3D打印直接打印连接，F‑P腔微结构的外围套设有毛细管，毛细管的两端密封形成密封腔体，密封腔体内充满磁流体；所述单模光纤的另一端通过光纤耦合器分别连接宽谱光源和光谱分析仪；其原理与传统的内部填充磁流体的光纤磁场传感器不同，通过在波导周围填充磁流体所产生的倏逝耦合效应，突破了磁流体高吸收性对传感器磁场灵敏度的限制，具有较高的磁场灵敏度；打印制备的F‑P磁场传感器仅为微米尺寸，封装后的传感头在毫米量级，具有小型化的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 光子 激光 技术 打印 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
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