[实用新型]利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的F-P磁场传感器有效
| 申请号: | 202020651005.1 | 申请日: | 2020-04-26 |
| 公开(公告)号: | CN212514973U | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
| 发明(设计)人: | 张登伟;梁璀;魏鹤鸣 | 申请(专利权)人: | 浙江大学;上海大学 |
| 主分类号: | G01R33/032 | 分类号: | G01R33/032;G01D5/353;G01R33/00;B29C64/135;B33Y10/00;B33Y80/00 |
| 代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 郑海峰 |
| 地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 利用 光子 激光 技术 打印 磁场 传感器 | ||
1.一种利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的F-P磁场传感器,其特征在于包含单模光纤(3-1)、毛细管(3-5)和F-P腔微结构;所述F-P腔微结构与所述单模光纤(3-1)的一端由3D打印直接打印连接,F-P腔微结构的外围套设有毛细管(3-5),毛细管(3-5)的两端密封形成密封腔体,密封腔体内充满磁流体;所述单模光纤(3-1)的另一端通过光纤耦合器(2)分别连接宽谱光源(1)和光谱分析仪(4);
所述的F-P腔微结构包括波导(3-3)、第一平面(3-2)、第二平面(3-4)和支撑结构;所述的波导(3-3)与单模光纤(3-1)的纤芯对齐,第一平面(3-2)和第二平面(3-4)分别与波导(3-3)的两端垂直连接,且第一平面(3-2)与单模光纤(3-1)的一端相接触;波导(3-3)的外围设有连接第一平面(3-2)和第二平面(3-4)的支撑结构。
2.如权利要求1所述的一种利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的F-P磁场传感器,其特征在于,所述毛细管(3-5)的两端使用紫外固化胶固定和密封。
3.如权利要求2所述的一种利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的F-P磁场传感器,其特征在于,所述毛细管(3-5)的直径大于单模光纤(3-1)的直径。
4.如权利要求1所述的一种利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的F-P磁场传感器,其特征在于,所述第一平面(3-2)、第二平面(3-4)的直径与单模光纤(3-1)的直径相同。
5.如权利要求1所述的一种利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的F-P磁场传感器,其特征在于,所述的第二平面(3-4)上与波导(3-3)相连的一侧镀有全反膜。
6.如权利要求1所述的一种利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的F-P磁场传感器,其特征在于,所述的波导(3-3)由锥形体和圆柱体构成,锥形体的小端面与圆柱体的一个端面匹配连接,锥形体的大端面与单模光纤(3-1)的纤芯直径相同。
7.如权利要求6所述的一种利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的F-P磁场传感器,其特征在于,所述圆柱体的直径范围为0.5μm-10μm。
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