[实用新型]一种具有相同栅源掺杂的场效应晶体管及其元胞结构有效
| 申请号： | 202020593696.4 | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN212676273U | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 黄兴;陈欣璐;陈然 | 申请（专利权）人： | 派恩杰半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/808 |
| 代理公司： | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人： | 董世博 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市滨江区浦*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有相同栅源掺杂的场效应晶体管及其元胞结构。其中具有相同栅源掺杂的场效应晶体管元胞结构，包括：碳化硅衬底，该碳化硅衬底材料的掺杂类型为第一导电类型；在碳化硅衬底的正面和背面分别设有第一导电类型半导体外延层和第一电极；在第一导电类型半导体外延层上依次设置有第二导电类型悬浮区、第一导电类型栅极注入区、第一导电类型源极注入区，栅极注入区上设置有栅极，源极注入区上设置有源极，栅极注入区和源极注入区之间设置有极间介质，所述极间介质用于对栅极和源极进行隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 相同 掺杂 场效应 晶体管 及其 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于派恩杰半导体（杭州）有限公司，未经派恩杰半导体（杭州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202020593696.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种节能环保型纯植物类食品加工装置
- 下一篇：压力表连接设备
- 同类专利
- 专利分类
