[实用新型]一种具有相同栅源掺杂的场效应晶体管及其元胞结构有效
| 申请号： | 202020593696.4 | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN212676273U | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 黄兴;陈欣璐;陈然 | 申请（专利权）人： | 派恩杰半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/808 |
| 代理公司： | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人： | 董世博 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市滨江区浦*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 相同 掺杂 场效应 晶体管 及其 结构 | ||
1.一种具有相同栅源掺杂的场效应晶体管元胞结构，其特征在于，包括：
碳化硅衬底(001)，该碳化硅衬底材料的掺杂类型为第一导电类型，
在碳化硅衬底(001)的正面和背面分别设有第一导电类型半导体外延层(002)和第一电极(003)；
在第一导电类型半导体外延层(002)上依次设置有第二导电类型悬浮区(005)、第一导电类型栅极注入区(006)、第一导电类型源极注入区(007)，栅极注入区(006)上设置有栅极(008)，源极注入区上设置有源极(009)，栅极注入区(006)和源极注入区(007)之间设置有极间介质(010)，所述极间介质(010)用于对栅极(008)和源极(009)进行隔离。
2.如权利要求1所述的具有相同栅源掺杂的场效应晶体管元胞结构，其特征在于，所述第一导电类型半导体外延层(002)厚度为5～250um。
3.如权利要求1所述的具有相同栅源掺杂的场效应晶体管元胞结构，其特征在于，元胞一侧的栅极注入区(006)与栅极(008)连接，元胞另一侧的栅极注入区(006)和源极注入区(007)共同连到源极(009)。
4.如权利要求1所述的具有相同栅源掺杂的场效应晶体管元胞结构，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
5.如权利要求1所述的具有相同栅源掺杂的场效应晶体管元胞结构，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
6.一种具有相同栅源掺杂的场效应晶体管，其特征在于，包括若干如权利要求1至5任一所述的元胞结构以及场限环结终端，且在制作结终端时，刻蚀注入结终端与元胞结构的第二导电类型悬浮区同时使用同一块光刻掩膜版刻蚀注入。
7.一种具有相同栅源掺杂的场效应晶体管，其特征在于，包括若干如权利要求1至5任一所述的元胞结构以及结终端扩展和加场限环结终端，且在制作结终端时，刻蚀注入结终端与元胞结构的第二导电类型悬浮区同时使用同一块光刻掩膜版刻蚀注入。
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