[实用新型]一种新型功率半导体晶圆背部金属结构有效
| 申请号： | 202020591908.5 | 申请日： | 2020-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN212277187U | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 汤为;孙效中;李江华 | 申请（专利权）人： | 常州旺童半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 合肥方舟知识产权代理事务所(普通合伙) 34158 | 代理人： | 刘跃 |
| 地址： | 213100 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种新型功率半导体晶圆背部金属结构，包括引线框，所述引线框的表面中心开设有沉积槽，所述沉积槽内设置有锡银层，所述锡银层的表面设置有镍层，所述镍层的表面设置有钛层，所述钛层的上方设置有芯片，所述芯片的周围设置有若干个限位块，所述限位块的底部固定连接在引线框上。本实用新型具有结构设计合理，贴芯片平整度高，贴芯片的速度快、效率高，并且节省成本等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 功率 半导体 背部 金属结构 | ||
【主权项】：
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