[实用新型]一种GaAs基DBR外延材料结构有效
| 申请号： | 202020540978.8 | 申请日： | 2020-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN211789981U | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 郭帅;冯巍 | 申请（专利权）人： | 新磊半导体科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215151 江苏省苏州市高新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本实用新型提供一种GaAs基DBR外延材料结构，涉及半导体制造技术领域。该结构包括：GaAs衬底；在衬底上的缓冲层；在缓冲层上的AlGaAs过渡层；在过渡层上的AlGaAs/GaAs系DBR层；过渡层为Al组分从第一值至第二值渐变的Al |
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| 搜索关键词： | 一种 gaas dbr 外延 材料 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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