[实用新型]一种GaAs基DBR外延材料结构有效
| 申请号： | 202020540978.8 | 申请日： | 2020-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN211789981U | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 郭帅;冯巍 | 申请（专利权）人： | 新磊半导体科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215151 江苏省苏州市高新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gaas dbr 外延 材料 结构 | ||
1.一种GaAs基DBR外延材料结构，其特征在于，包括：
GaAs衬底；
在所述GaAs衬底上的GaAs缓冲层；
在所述GaAs缓冲层上的AlGaAs过渡层；
在所述AlGaAs过渡层上的AlGaAs/GaAs系DBR层；
所述AlGaAs过渡层为Al组分x从第一预设值至第二预设值渐变的AlxGa1-xAs渐变层，并且所述第一预设值小于所述第二预设值，所述AlGaAs/GaAs系DBR层为预设对数的AlGaAs/GaAs层，并且所述预设对数的AlGaAs/GaAs层中靠近所述AlGaAs过渡层的前至少一对AlGaAs/GaAs层中AlGaAs的Al组分的取值大于所述第二预设值；所述GaAs缓冲层的厚度范围为200nm至400nm，并且所述AlGaAs过渡层的厚度范围为700nm至1300nm；
所述第一预设值为0.05，所述第二预设值为0.5；所述预设对数为30对，并且所述AlGaAs/GaAs系DBR层中从靠近所述AlGaAs过渡层一侧开始计数的第i对AlGaAs/GaAs层中AlGaAs的Al组分等于0.9-(0.9-0.15)/29×(i-1)，i＝1,2,3,...,30，对于850nm的中心反射波长，第30对AlGaAs/GaAs层中的AlGaAs的厚度为60.5nm，GaAs的厚度为60.4nm；第1对AlGaAs/GaAs层中的AlGaAs的厚度为69.9nm，GaAs的厚度为60.4nm。
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