[实用新型]一种红外发光二极管外延结构、芯片有效
| 申请号： | 202020443518.3 | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN211455711U | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;陈凯轩;蔡建九;卓祥景;林志园 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14;H01L33/30;H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361001 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种红外发光二极管外延结构、芯片，其中红外发光二极管外延结构包括：依次堆叠的衬底、N型欧姆接触层、N型电流扩展层、N型限制层、有源区、P型限制层、P型电流扩展层及复合欧姆接触层；所述复合欧姆接触层包括依次交替堆叠的P型欧姆接触层和改性层；所述改性层包括III‑V族化合物层，且禁带宽度大于所述P型欧姆接触层的禁带宽度。可提高发光二极管稳定性及抗老化性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红外 发光二极管 外延 结构 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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