[实用新型]一种红外发光二极管外延结构、芯片有效
| 申请号： | 202020443518.3 | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN211455711U | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;陈凯轩;蔡建九;卓祥景;林志园 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14;H01L33/30;H01L33/46;H01L33/00 |
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| 地址： | 361001 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 红外 发光二极管 外延 结构 芯片 | ||
1.一种红外发光二极管外延结构，其特征在于，包括：
衬底；
沿第一方向依次堆叠的N型欧姆接触层、N型电流扩展层、N型限制层、有源区、P型限制层、P型电流扩展层及复合欧姆接触层；所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述N型欧姆接触层；
所述复合欧姆接触层包括沿所述第一方向依次交替堆叠的P型欧姆接触层和改性层；所述改性层包括I I I-V族化合物层，且禁带宽度大于所述P型欧姆接触层的禁带宽度。
2.根据权利要求1所述的红外发光二极管外延结构，其特征在于：所述复合欧姆接触层沿所述第一方向的最后一层为改性层。
3.根据权利要求2所述的红外发光二极管外延结构，其特征在于：所述最后一层改性层的厚度大于其他改性层的厚度。
4.根据权利要求1所述的红外发光二极管外延结构，其特征在于：各所述P型欧姆接触层的厚度均大于各所述改性层的厚度。
5.根据权利要求1所述的红外发光二极管外延结构，其特征在于：所述P型欧姆接触层的禁带宽度值为E，则所述改性层的禁带宽度值为E+0.01eV至E+0.5eV，包括端点值。
6.根据权利要求1至5中任一所述的红外发光二极管外延结构，其特征在于：所述P型欧姆接触层包括AlGaAs层，所述改性层包括AlGaInAsP层。
7.根据权利要求1所述的红外发光二极管外延结构，其特征在于：其交替生长的对数为1-20对。
8.一种红外发光二极管芯片，其特征在于，包括：
采用权利要求1-7任一项所述的外延结构；
绝缘层，其设置于所述复合欧姆接触层背离P型电流扩展层的一侧表面，且所述绝缘层内设有若干个贯穿所述绝缘层的通孔；
金属反射镜，其层叠于所述绝缘层的表面，并填充各所述通孔与所述复合欧姆接触层形成电连接；
键合层，其设置于所述金属反射镜背离所述绝缘层的一侧表面；
基板，其设置在所述键合层背离所述金属反射镜的一侧表面；
P型电极，其设置在所述基板背离所述键合层的一侧表面；
N型电极，其层叠于所述N型欧姆接触层背离所述N型电流扩展层的一侧表面。
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