[实用新型]晶体生长装置和热等静压设备有效
| 申请号： | 202020412043.1 | 申请日： | 2020-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN211999982U | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 乔焜;张新建;林岳明;高明哲 | 申请（专利权）人： | 上海玺唐半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B7/10 | 分类号： | C30B7/10;C30B29/38 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 201600 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及晶体生长技术领域，提供了一种晶体生长装置和热等静压设备。装置包括生长容器、端盖、密封件、泄放装置和紧固件，生长容器具有至少一个开口，开口与生长容器内空腔相连通；端盖覆盖开口，以与生长容器内形成生长腔室，端盖上设置有通孔，通孔与生长腔室相连通；密封件设置于生长容器和端盖之间，以将生长腔室密封，泄放装置设置于端盖上，并贯穿端盖以与生长腔室相连通；端盖和生长容器通过紧固件相连接。密封件阻断了生长腔室与外界可能相通的唯一路径，有效提高生长腔室的密封性。通过泄放装置可对生长腔室内部压力进行释放，起到保护生长装置的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体生长 装置 静压 设备 | ||
【主权项】：
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