[实用新型]晶体生长装置和热等静压设备

权利要求书

1.一种晶体生长装置，其特征在于，包括：

生长容器，具有至少一个开口，所述开口与所述生长容器内部的空腔相连通；

端盖，覆盖所述开口，以与所述生长容器内形成生长腔室，所述端盖上设置有通孔，所述通孔与所述生长腔室相连通；

密封件，设置于所述生长容器和所述端盖之间，以将所述生长腔室密封；

泄放装置，设置于所述端盖上，并沿厚度方向贯穿所述端盖以与所述生长腔室相连通；

紧固件，所述端盖和所述生长容器通过所述紧固件相连接。

2.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述生长容器具有两个开口，两个所述开口位于所述空腔相对的两端，各所述开口处均设置有所述端盖。

3.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，还包括第一防腐层，所述第一防腐层至少设置于所述开口处的外沿表面。

4.根据权利要求3所述的晶体生长装置，其特征在于，所述端盖包括盖体和设置于所述盖体临近所述生长容器一侧表面的第二防腐层。

5.根据权利要求4所述的晶体生长装置，其特征在于，所述密封件设置于所述第一防腐层和所述第二防腐层之间，所述密封件的硬度低于所述第一防腐层的硬度及所述第二防腐层的硬度。

6.根据权利要求5所述的晶体生长装置，其特征在于，所述第一防腐层与所述密封件的硬度差值大于等于20HBW，和/或所述第二防腐层与所述密封件的硬度差值大于等于20HBW，和/或所述第一防腐层和第二防腐层的硬度相差不超过20HBW。

7.根据权利要求4所述的晶体生长装置，其特征在于，还包括第三防腐层，所述第三防腐层设置于所述生长容器的内侧壁，所述第三防腐层与所述第一防腐层密封连接，共同作为所述生长容器的内衬。

8.根据权利要求7所述的晶体生长装置，其特征在于，所述生长容器和所述盖体均设置有检漏孔。

9.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，还包括分隔层，所述分隔层设置在所述生长腔室内，且将所述生长腔室分割为第一腔室和第二腔室。

10.一种热等静压设备，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的晶体生长装置；所述热等静压设备具有内腔，所述晶体生长装置设置于所述内腔中。

11.根据权利要求10所述的热等静压设备，其特征在于，还包括加热装置，所述加热装置位于所述内腔内，且绕设于所述晶体生长装置的外侧。

12.根据权利要求11所述的热等静压设备，其特征在于，所述生长腔室内设置有分隔层，所述分隔层将所述生长腔室分割为第一腔室和第二腔室，所述加热装置包括第一加热段和第二加热段，所述第一加热段对应所述第一腔室设置，所述第二加热段对应所述第二腔室设置。

13.根据权利要求11所述的热等静压设备，其特征在于，还包括隔热装置，所述隔热装置位于所述内腔内，且绕设于所述加热装置的外侧。