[实用新型]沟槽型IGBT器件结构有效
| 申请号： | 202020393712.5 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN211480037U | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 朱贤龙;闫鹏修 | 申请（专利权）人： | 广东芯聚能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 511458 广东省广州市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种沟槽型IGBT器件结构，包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的漂移区，形成于所述第一导电类型的衬底内；沟槽栅极，位于所述第二导电类型的漂移区内；所述沟槽栅极包括：绝缘隔离层；栅极导电层，位于所述绝缘隔离层的上表面；栅氧化层，位于所述绝缘隔离层的上表面，且位于所述第二导电类型的漂移区与所述栅极导电层之间。本申请通过设置绝缘隔离层，有效地减小了沟槽栅极中有效栅多晶硅层的填充深度，降低了沟槽栅极填充的工艺难度及制造成本，减小沟槽型IGBT器件结构的栅极输入电容，在提高了电流密度的同时还能保证沟槽栅极具有足够高的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 igbt 器件 结构 | ||
【主权项】：
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