[实用新型]沟槽型IGBT器件结构有效
| 申请号： | 202020393712.5 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN211480037U | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 朱贤龙;闫鹏修 | 申请（专利权）人： | 广东芯聚能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 511458 广东省广州市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 igbt 器件 结构 | ||
1.一种沟槽型IGBT器件结构，其特征在于，包括：
第一导电类型的衬底；
第二导电类型的漂移区，形成于所述第一导电类型的衬底内；
沟槽栅极，位于所述第二导电类型的漂移区内；所述沟槽栅极包括：
绝缘隔离层；
栅极导电层，位于所述绝缘隔离层的上表面；
栅氧化层，位于所述绝缘隔离层的上表面，且位于所述第二导电类型的漂移区与所述栅极导电层之间。
2.根据权利要求1所述的沟槽型IGBT器件结构，其特征在于，还包括：
第一导电类型的阱区，位于所述第二导电类型的漂移区上；所述沟槽栅极贯穿所述第一导电类型的阱区并延伸至所述第二导电类型的漂移区内。
3.根据权利要求2所述的沟槽型IGBT器件结构，其特征在于，还包括：
第二导电类型的第一掺杂区，位于所述第一导电类型的阱区内；所述沟槽栅极贯穿所述第二导电类型的第一掺杂区及所述第一导电类型的阱区并延伸至所述第二导电类型的漂移区内；
第二导电类型的第二掺杂区，位于所述第一导电类型的阱区内，且位于相邻所述第二导电类型的第一掺杂区之间。
4.根据权利要求3所述的沟槽型IGBT器件结构，其特征在于，所述栅极导电层及所述栅氧化层均贯穿所述第二导电类型的第一掺杂区及所述第一导电类型的阱区并延伸至所述第二导电类型的漂移区内。
5.根据权利要求3所述的沟槽型IGBT器件结构，其特征在于，所述第二导电类型的第二掺杂区的深度小于所述第二导电类型的第一掺杂区的深度，且所述第二导电类型的第一掺杂区的深度小于所述第一导电类型的阱区的深度。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的沟槽型IGBT器件结构，其特征在于，所述绝缘隔离层的厚度大于所述栅氧化层的厚度。
7.根据权利要求1-5中任一项所述的沟槽型IGBT器件结构，其特征在于：所述绝缘隔离层包括氧化层。
8.根据权利要求2-5中任一项所述的沟槽型IGBT器件结构，其特征在于：所述栅极导电层的深度及所述栅氧化层的深度均大于第一导电类型的阱区的深度。
9.根据权利要求1-5中任一项所述的沟槽型IGBT器件结构，其特征在于，所述第一导电类型包括P型且所述第二导电类型包括N型。
10.根据权利要求1-5中任一项所述的沟槽型IGBT器件结构，其特征在于，所述第一导电类型包括N型且所述第二导电类型包括P型。
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