[实用新型]一种浮空区间隔开孔的IGBT版图结构有效
| 申请号： | 202020383144.0 | 申请日： | 2020-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN211455692U | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 秦潇峰;马克强;金涛;蒋兴莉;王思亮 | 申请（专利权）人： | 成都森未科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L27/02 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 苏丹 |
| 地址： | 610000 四川省成都市中国（四川）自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体制造领域，特别是一种浮空区间隔开孔的IGBT版图结构，包括芯片版图底版，芯片版图底版的上表面开设有横向周期排布的多组第一栅极沟槽，每组第一栅极沟槽为两个，两个第一栅极沟槽之间开设有横向排布的两个N+注入窗口，两个N+注入窗口之间设有一个横向排布的第一发射极接触孔，相邻的两组第一栅极沟槽之间的空白区域为浮空区，浮空区内设有纵向周期排布的多组第二栅极沟槽，每组第二栅极沟槽为两个，两个第二栅极沟槽之间开设有第二发射极接触孔。本实用新型在不增加工艺成本的前提下，可以有效提高开启过程中，栅极对di/dt的可控性，通过调节a与b的比例，可以得到不同程度的di/dt的控制性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 区间 隔开 igbt 版图 结构 | ||
【主权项】：
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