[实用新型]一种浮空区间隔开孔的IGBT版图结构有效
| 申请号： | 202020383144.0 | 申请日： | 2020-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN211455692U | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 秦潇峰;马克强;金涛;蒋兴莉;王思亮 | 申请（专利权）人： | 成都森未科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L27/02 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 苏丹 |
| 地址： | 610000 四川省成都市中国（四川）自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 区间 隔开 igbt 版图 结构 | ||
1.一种浮空区间隔开孔的IGBT版图结构，包括芯片版图底版（00），所述芯片版图底版（00）的上表面开设有横向周期排布的多组第一栅极沟槽（01），每组第一栅极沟槽（01）为两个，两个第一栅极沟槽（01）之间开设有横向排布的两个N+注入窗口，两个N+注入窗口之间设有一个横向排布的第一发射极接触孔（03），其特征在于：相邻的两组第一栅极沟槽（01）之间的空白区域为浮空区，浮空区内设有纵向周期排布的多组第二栅极沟槽（04），每组第二栅极沟槽（04）为两个，两个第二栅极沟槽（04）之间开设有第二发射极接触孔（05）。
2.根据权利要求1所述的一种浮空区间隔开孔的IGBT版图结构，其特征在于：同一组的第二栅极沟槽（04）之间距离为a，相邻组之间距离为b；b:a大于1，且小于1000。
3.根据权利要求1所述的一种浮空区间隔开孔的IGBT版图结构，其特征在于：浮空区间隔开孔的IGBT版图结构中，具有不连续P型基区（07）的绝缘栅极双极型晶体管，所述绝缘栅极双极型晶体管的背面为非穿通型结构、穿通型结构或场截至型结构。
4.根据权利要求3所述的一种浮空区间隔开孔的IGBT版图结构，其特征在于：绝缘栅极双极型晶体管的顶部具有典型的条形沟槽栅结构，沟槽栅结构为栅氧化层和填充的多晶硅栅电极一起组成，深度在1um-5um，宽度在0.5um-2um之间。
5.根据权利要求4所述的一种浮空区间隔开孔的IGBT版图结构，其特征在于：沟槽栅一侧为P型基区（07），且该区域中具有N+发射区与P+接触区；沟槽栅另一侧为P型基区（07），该P型基区（07）是不连续的，通过沟槽栅相互隔离，且用于隔离的沟槽栅中包含有P+接触区。
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