[实用新型]一种优化气体流场的石墨基座有效
| 申请号： | 202020258722.8 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN211629063U | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 黄洪福;朱佰喜 | 申请（专利权）人： | 深圳市志橙半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;C23C16/54 |
| 代理公司： | 深圳市添源知识产权代理事务所(普通合伙) 44451 | 代理人： | 罗志伟 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种优化气体流场的石墨基座，包括石墨基座，所述石墨基座上设有晶圆凹槽，所述晶圆凹槽的槽口设有倒角，所述倒角的角度为3度～40度。本实用新型的有益效果是：通过优化的倒角过渡设计改善了由石墨基座流过晶圆的气体流场，能有效降低石墨基座的边缘效应导致产品报废的概率，显著提高晶圆薄膜均匀性，提升了芯片良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 优化 气体 石墨 基座 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市志橙半导体材料有限公司，未经深圳市志橙半导体材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202020258722.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种连续采样预浓缩系统
- 下一篇：装订辅助工具
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
