[实用新型]一种优化气体流场的石墨基座

说明书

本实用新型提供了一种优化气体流场的石墨基座，包括石墨基座，所述石墨基座上设有晶圆凹槽，所述晶圆凹槽的槽口设有倒角，所述倒角的角度为3度～40度。本实用新型的有益效果是：通过优化的倒角过渡设计改善了由石墨基座流过晶圆的气体流场，能有效降低石墨基座的边缘效应导致产品报废的概率，显著提高晶圆薄膜均匀性，提升了芯片良率。

技术领域

本实用新型涉及石墨基座，尤其涉及一种优化气体流场的石墨基座。

背景技术

气相沉积的基本原理涉及反应化学、热力学、动力学、转移机理、膜生长现象和反应工程。主要以金属蒸汽、挥发性金属卤化物、氢化物或金属有机化合物等蒸汽为原料，进行气相热分解反应，以及两种以上单质或化合物的反应，再凝聚生成各种形态的材料。化学气相沉积工艺中，沉积薄膜的均匀性极为重要，薄膜的均匀性主要受到炉内气体分布的影响。化学气相沉积过程是一个极为复杂的化学过程，气体是否均匀分布会对工艺的沉积速率、膜层的致密性、薄膜均匀性等产生较大影响。通常来说化学气相沉积受气体流场等工艺因素影响均匀性难以保证，为了提高涂层均匀性一般采用石墨盘旋转工艺，可以达到稳定生产的目的。

现有技术中，气体从石墨基座流到晶圆易引起紊流，导致晶圆产生边缘效应，从而影响晶圆生产的稳定性。

发明内容

为了解决现有技术中的问题，本实用新型提供了一种优化气体流场的石墨基座。

本实用新型提供了一种优化气体流场的石墨基座，包括石墨基座，所述石墨基座上设有晶圆凹槽，所述晶圆凹槽的槽口设有倒角，所述倒角的角度为3度～40度。

作为本实用新型的进一步改进，所述晶圆凹槽内设有晶圆。

本实用新型的有益效果是：通过优化的倒角过渡设计改善了由石墨基座流过晶圆的气体流场，能有效降低石墨基座的边缘效应导致产品报废的概率，显著提高晶圆薄膜均匀性，提升了芯片良率。

附图说明

图1是本实用新型一种优化气体流场的石墨基座的剖面示意图。

图2是本实用新型一种优化气体流场的石墨基座的整体示意图。

图3是本实用新型一种优化气体流场的石墨基座的局部示意图。

图4是本实用新型一种优化气体流场的石墨基座的倒角为15度的示意图。

具体实施方式

下面结合附图说明及具体实施方式对本实用新型作进一步说明。

如图1至图4所示，一种优化气体流场的石墨基座，包括石墨基座1，所述石墨基座1上设有晶圆凹槽2，所述晶圆凹槽2的槽口设有倒角3，所述倒角3的角度为3度～40度，倒角3的角度优选为3度、15度（如图4）、30度（如图1）、35度、40度，该倒角3位于晶圆凹槽2的侧壁与石墨基座1的顶面的交汇处，通过优化倒角3，气体从石墨基座1流到晶圆4更顺畅，不易产生紊流，减少晶圆4的边缘效应，从而提升了晶圆4生产的稳定性。

如图1至图4所示，所述晶圆凹槽2内设有晶圆4。

本实用新型提供的一种优化气体流场的石墨基座，通过不同的倒角3设计优化气体流场，改善了由石墨基座1流过晶圆4的气体流场，能有效降低石墨基座1的边缘效应导致产品报废的概率，显著提高晶圆薄膜均匀性，提升了芯片良率。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。