[实用新型]一种测量MOSFET功率模块热阻的装置有效

专利信息
申请号: 202020258053.4 申请日: 2020-03-05
公开(公告)号: CN212622912U 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 吕贤亮;黄东巍;郭春生;王宝友;张玉芹;周钦沅;高立;闫美存;赵雅君;侯小利 申请(专利权)人: 中国电子技术标准化研究院;北京工业大学
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R27/02
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 张立改
地址: 100007 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种测量MOSFET功率模块热阻的装置,属于半导体器件热阻测量技术领域。DUT(1)分别与栅压模块(3)、监测模块(4)、功率模块(5)、脉冲模块(6)、示波器(7)连接,首先建立VDS‑IDS‑TJ的三维关系曲线簇;然后通过器件正常工作时施加的VDS和IDS对比三维关系曲线簇获得模块的TJ;同时通过压簧式热电偶对其壳温(TC)进行采集;最终通过理论公式计算获得模块的热阻。本方法有效解决由于MOSFET功率模块中反并联续流二极管的存在而导致无法测量MOSFET结温及模块热阻的问题。
搜索关键词: 一种 测量 mosfet 功率 模块 装置
【主权项】:
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