[实用新型]一种绿光垂直腔面发射半导体激光器有效
| 申请号： | 202020101107.6 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN211556423U | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 李林;曾丽娜;李再金;乔忠良;曲轶;彭鸿雁 | 申请（专利权）人： | 海南师范大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/343 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 571158 海*** | 国省代码： | 海南;46 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种绿光垂直腔面发射半导体激光器的技术方案，该方案包括有蓝宝石衬底，缓冲层，第一底部分布布拉格反射镜层，第一下势垒层，第一有源层，隧道结，电流注入层，第一上势垒层，第一顶部分布布拉格反射镜层，欧姆接触层，第二底部分布布拉格反射镜层，第二下势垒层，第二有源层，第二上势垒层，第二顶部分布布拉格反射镜层和窗口层。本实用新型提出一种绿光垂直腔面发射半导体激光器结构，由一次外延生长来实现有源层、高反射率分布布拉格反射镜层在内的绿光垂直腔面发射半导体激光器完整外延结构，无需二次外延生长，从而能够保证获得高质量的绿光垂直腔面发射半导体激光器外延材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 发射 半导体激光器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海南师范大学，未经海南师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202020101107.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
