[实用新型]一种绿光垂直腔面发射半导体激光器

权利要求书

1.一种绿光垂直腔面发射半导体激光器，其特征是：包括蓝宝石衬底，缓冲层，第一底部DBR层，第一下势垒层，第一有源层，隧道结，电流注入层，第一上势垒层，第一顶部DBR层，欧姆接触层，第二底部DBR层，第二下势垒层，第二有源层，第二上势垒层，第二顶部DBR层和窗口层。

2.根据权利要求1所述的一种绿光垂直腔面发射半导体激光器，其特征是：只需一次外延生长即可完成包括第一底部DBR层，第一下势垒层，第一有源层，隧道结，电流注入层，第一上势垒层，第一顶部DBR层，欧姆接触层，第二底部DBR层，第二下势垒层，第二有源层，第二上势垒层，第二顶部DBR层和窗口层在内的绿光垂直腔面发射半导体激光器完整外延结构，无需二次外延生长，从而能够保证获得高质量的外延材料。

3.根据权利要求1所述的一种绿光垂直腔面发射半导体激光器，其特征是：在衬底层上由下至上依次包括：蓝宝石衬底，该衬底用于在其上外延生长垂直腔面发射激光器各层材料；缓冲层，为GaN材料，该缓冲层制作在衬底上，用于阻止衬底中缺陷的转移；第一底部DBR层，为外延生长不同掺杂浓度的n型n-GaN/n⁺-GaN DBR同质结材料；第一下势垒层，该层制作在底部DBR层上；第一有源层，为多量子阱，该层制作在第一下势垒层上；隧道结，该层制作在第一有源层上；电流注入层，该层制作在隧道结上；第一上势垒层，为厚度是100nm的GaN材料，制作在电流注入层上；第一顶部DBR层，为外延生长不同掺杂浓度的n型n-GaN/n+-GaN DBR同质结材料，该DBR层制作在第一上势垒层上；欧姆接触层，为厚度是300nm的n+-GaN材料，该层制作在第一顶部DBR层上；第二底部DBR层，为外延生长不同掺杂浓度的n型n-GaN/n+-GaN DBR同质结材料，该层制作在欧姆接触层上；第二下势垒层，为GaN材料，制作在第二底部DBR层上；第二有源层，为多量子阱，该层制作在第二下势垒层上；第二上势垒层，为厚度是100nm的GaN材料，该层制作在第二有源层上；第二顶部DBR层，为外延生长不同掺杂浓度的n型n-GaN/n+-GaN DBR同质结材料，该DBR层制作在第二上势垒层上；窗口层，为GaN材料，为厚度是100nm的n+-GaN材料，该层制作在第二顶部DBR层上。