[实用新型]一种CVD碳化硅反应腔室真空度测量装置有效
| 申请号： | 202020029167.1 | 申请日： | 2020-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN211717702U | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 白秋云 | 申请（专利权）人： | 成都超纯应用材料有限责任公司 |
| 主分类号： | G01L21/00 | 分类号： | G01L21/00 |
| 代理公司： | 成都睿道专利代理事务所(普通合伙) 51217 | 代理人： | 潘育敏 |
| 地址： | 610200 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种CVD碳化硅反应腔室真空度测量装置，设计真空度测量技术领域，包括反应腔室、第一移动机构、第二驱动机构和用于测量反应腔室内真空度的真空测量件；通过第一驱动机构使得真空测量件沿安装轴的轴向运动，即可测量出离沉积反应不同高度处的真空度；通过第二驱动机构使得真空测量件沿垂直于安装轴轴线的方向运动，即可测量出与沉积反应同一高度，不同距离处的真空度。本实用新型具有可测量出不同位置处的真空度，提高控制压力区间的准确度的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cvd 碳化硅 反应 真空 测量 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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